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🧭Gouvernement Bayrou
François Bayrou
, Premier ministre
Élisabeth Borne
, Ministère de l’éducation nationale, de l’enseignement supérieur et de la recherche
Manuel Valls
, Ministère des outre-mer
Gérald Darmanin
, Ministère de la justice
Bruno Retailleau
, Ministère de l'intérieur
Catherine Vautrin
, Ministère du travail, de la santé, des solidarités et des familles
Éric Lombard
, Ministère de l’économie, des finances et de la souveraineté industrielle et numérique
Sébastien Lecornu
, Ministère des armées
Rachida Dati
, Ministère de la culture
François Rebsamen
, Ministère de l’aménagement du territoire et de la décentralisation
Jean-Noël Barrot
, Ministère de l’Europe et des affaires étrangères
Agnès Pannier-Runacher
, Ministère de la transition écologique, de la biodiversité, de la forêt, de la mer et de la pêche
Annie Genevard
, Ministère de l’agriculture et de la souveraineté alimentaire
Laurent Marcangeli
, Ministère de l'action publique, de la fonction publique et de la simplification
Marie Barsacq
, Ministère des sports, de la jeunesse et de la vie associative
Marc Ferracci
, Ministère auprès du ministre de l’économie, des finances et de la souveraineté industrielle et numérique, chargé de l’industrie et de l’énergie4 févr. 2025
La stratégie d'accélération électronique, déclinaison sectorielle du plan France 2030, a pour objectif le renforcement du potentiel scientifique et technologique de la France dans le domaine des semi-conducteurs, ainsi que des capacités de production. Dans le cadre des programmes et équipements prioritaires de recherche (PEPR) électronique, des investissements importants ont été consentis afin de renforcer les moyens à disposition des organismes de recherche (CNRS, Universités, CEA) en vue de préparer les technologies de la prochaine décennie, au travers de travaux de pointe sur les architectures neuromorphiques, l'utilisation de nouveaux matériaux pour la conversion de puissance ou les très hautes fréquences. Des jalons ont également été posés afin de poursuivre la miniaturisation de la technologie de silicium sur isolant entièrement appauvri (FD-SOI) vers les nœuds de 10 et de 7 nanomètres. 450 millions d'euros de crédits France 2030 ont été investis afin de fournir les moyens, notamment en équipement, au CEA-Leti, afin de mener à bien ce projet. L'Union européenne, au travers de l'entreprise commune semi-conducteurs (Chips JU) a également contribué à hauteur de 360 millions d'euros. Ces travaux ouvrent la voie, à l'horizon du début des années 2030, à la production de composants très économes en énergie et dotés d'une haute densité en transistors et donc d'une importe puissance de calcul. Un soutien public a également été apporté à l'innovation des acteurs privés et à l'accroissement des capacités de production, au travers du Projet Important d'intérêt commun européen microélectronique et communication (PIEEC ME/CT) et du projet d'extension de l'usine de Crolles, s'appuyant sur un partenariat entre STMicroelectronics et GlobalFoundries. Ces travaux portent notamment sur l'électronique de puissance, les accélérateurs d'intelligence artificielle dans les microcontrôleurs ou la photonique sur silicium. Au total, ce sont près de 4 milliards d'euros qui ont été engagés en vue de soutenir ces activités de R&D industrielle et d'industrialisation. Ils ont déjà débouché sur des extensions de capacités, à Crolles (STMicroelectronics), Bernin (Soitec) ou Caen (Murata). Le Gouvernement cherche ainsi à renforcer la compétitivité du secteur et la résilience de l'économie en faisant levier sur les points forts de la filière électronique française : expertise en physique des matériaux, en électronique de puissance, en radiofréquence et en systèmes embarqués. En conséquence, le soutien public porte particulièrement sur les semi-conducteurs avancés qui innovent non de par leur niveau de miniaturisation (« More-Moore ») mais parce qu'ils répondent à des cas d'usage spécifiques, en adaptant architecture et matériaux à ces usages. C'est ainsi le cas dans la conversion de puissance (usage de wafers en carbure de silicium ou en nitrure de Gallium), dans les transmissions de données (intégration de lasers miniatures sur des plaques de silicium) ou en matière de capture d'image (utilisation de collages entre plaques pour améliorer la qualité des capteurs et donc des photos numériques). En outre, ces semi-conducteurs avancés répondent bien aux besoins de l'industrie française et européenne, dans le secteur automobile, de l'automatisation, des systèmes électriques ou aéronautique.
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